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第五代V-NAND 3D堆叠闪存SSD容量将翻倍增长
2018-07-13 中国要闻网
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 据报道,三星已开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,这就意味着SSD容量将会翻倍增长。

  三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

  数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。三星还透露,正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。

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